GOFORD GT060N04D52

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

供应商器件包装

8-DFN (4.9x5.75)

Package

Tape & Reel (TR)

厂商

Goford Semiconductor

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

配置

2 N-Channel

功率 - 最大

20W (Tc)

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.3V @ 250µA

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

44nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

40V

场效应管特性

Standard