GS8342Q36BD-250IT
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GSI GS8342Q36BD-250IT

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型号

GS8342Q36BD-250IT

品牌

GSI

utmel 编号

2984-GS8342Q36BD-250IT

商品类别

存储器

封装

4-SMD, No Lead

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

- Tape and Reel (Alt: GS8342Q36BD-250IT)

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GS8342Q36BD-250IT GSI - Tape and Reel (Alt: GS8342Q36BD-250IT)

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GS8342Q36BD-250IT详情

GSI GS8342Q36BD-250IT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    4-SMD, No Lead

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    165

  • 终端数量

    165

  • Package Description

    LBGA, BGA165,11X15,40

  • Package Style

    GRID ARRAY, LOW PROFILE

  • Number of Words Code

    1000000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Equivalence Code

    BGA165,11X15,40

  • Operating Temperature-Min

    -40 °C

  • Access Time-Max

    0.45 ns

  • Operating Temperature-Max

    85 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    GS8342Q36BD-250IT

  • Clock Frequency-Max (fCLK)

    250 MHz

  • Number of Words

    1048576 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    1.8 V

  • Package Code

    LBGA

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    GSI技术

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    GSI TECHNOLOGY

  • Risk Rank

    5.36

  • Part Package Code

    BGA

  • 操作温度

    -20°C ~ 70°C

  • 系列

    SiT8208

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 尺寸/尺寸

    0.276 L x 0.197 W (7.00mm x 5.00mm)

  • 零件状态

    活跃

  • ECCN 代码

    3A991.B.2.B

  • 类型

    XO (Standard)

  • 附加功能

    流水线结构

  • HTS代码

    8542.32.00.41

  • 子类别

    SRAMs

  • 技术

    CMOS

  • 电压 - 供电

    2.5V

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    1 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • 频率

    20MHz

  • 频率稳定性

    ±10ppm

  • 输出量

    LVCMOS, LVTTL

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B165

  • 功能

    Standby (Power Down)

  • 基本谐振器

    MEMS

  • 最大电流源

    33mA

  • 资历状况

    不合格

  • 电源

    1.5/1.8,1.8 V

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 电流 - 电源(禁用)(最大值)

    70µA

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.835 mA

  • 组织结构

    1MX36

  • 输出特性

    3-STATE

  • 座位高度-最大

    1.4 mm

  • 内存宽度

    36

  • 待机电流-最大值

    0.215 A

  • 记忆密度

    37748736 bit

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • I/O类型

    SEPARATE

  • 内存IC类型

    QDR SRAM

  • 绝对牵引范围 (APR)

    --

  • 待机电压-最小值

    1.7 V

  • 电压 - 供电 (最大值)

    1.9 V

  • 电压 - 供电 (最小值)

    1.7 V

  • 座位高度(最大)

    0.039 (1.00mm)

  • 宽度

    13 mm

  • 长度

    15 mm

  • 评级结果

    --

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