GSI Technology GS71116AGU-8I

工厂交货时间

6 Weeks

包装/外壳

BGA-48

表面安装

YES

引脚数

48

终端数量

48

Maximum Operating Temperature

+ 85 C

Supply Voltage-Max

3.6 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

240

Supply Voltage-Min

3 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Interface Type

Parallel

Manufacturer

GSI技术

Brand

GSI技术

RoHS

Details

Memory Types

SDR

Package Description

TFBGA, BGA48,6X8,30

Part Package Code

BGA

Risk Rank

5.19

Ihs Manufacturer

GSI TECHNOLOGY

Part Life Cycle Code

活跃

Package Shape

RECTANGULAR

Package Code

TFBGA

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Number of Words

65536 words

Manufacturer Part Number

GS71116AGU-8I

Rohs Code

有

Operating Temperature-Max

85 °C

Access Time-Max

8 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Min

-40 °C

Package Equivalence Code

BGA48,6X8,30

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Number of Words Code

64000

Moisture Sensitivity Levels

3

Package Style

GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

系列

GS71116AGU

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

Asynchronous

端子表面处理

锡银铜

最高工作温度

85 °C

最小工作温度

-40 °C

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

技术

CMOS

电压 - 供电

3.3 V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.75 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B48

资历状况

不合格

电源

3.3 V

温度等级

INDUSTRIAL

内存大小

1 Mbit

端口的数量

1

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

130 mA

访问时间

8 ns

组织结构

64 k x 16

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

16

地址总线宽度

16 b

产品类别

SRAM

密度

1 Mb

待机电流-最大值

0.005 A

记忆密度

1048576 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

2 V

电压 - 供电 （最大值）

3.6 V

电压 - 供电 （最小值）

3 V

产品类别

SRAM

长度

8 mm

宽度

6 mm

辐射硬化

无