GSI Technology GS8128018GT-333
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GS8128018GT-333
2984-GS8128018GT-333
存储器
TQFP-100
大陆
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SRAM 2.5/3.3V 8M x 18 144M
1最小包装量--
GS8128018GT-333详情
GSI Technology GS8128018GT-333重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TQFP-100
表面安装
YES
终端数量
100
RoHS
Details
Maximum Clock Frequency
333 MHz
Interface Type
Parallel
Supply Voltage-Min
2.3 V
Minimum Operating Temperature
0 C
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Mounting Styles
SMD/SMT
Memory Types
SDR
Moisture Sensitive
有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
15
Tradename
SyncBurst
Supply Voltage-Max
3.6 V
Package Description
LQFP,
Package Style
FLATPACK, LOW PROFILE
Number of Words Code
8000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
85 °C
Manufacturer Part Number
GS8128018GT-333
Number of Words
8388608 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
Package Code
LQFP
Package Shape
RECTANGULAR
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
GSI TECHNOLOGY
Risk Rank
5.73
包装
Tray
系列
GS8128018GT
ECCN 代码
3A991.B.2.B
类型
Pipeline/Flow Through
附加功能
IT ALSO OPERATES AT 3 TO 3.6 V SUPPLY VOLTAGE
HTS代码
8542.32.00.41
技术
CMOS
端子位置
QUAD
终端形式
鸥翼
功能数量
1
端子间距
0.65 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PQFP-G100
温度等级
OTHER
内存大小
144 Mbit
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
400 mA, 530 mA
访问时间
4.5 ns
组织结构
8 M x 18
座位高度-最大
1.6 mm
内存宽度
18
记忆密度
150994944 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
缓存SRAM
电压 - 供电 (最大值)
2.7 V
电压 - 供电 (最小值)
2.3 V
宽度
14 mm
长度
20 mm
GS8128018GT-333拓展信息
GSI Technology
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