GSI Technology GS8128236GD-200V
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GS8128236GD-200V
2984-GS8128236GD-200V
存储器
BGA-165
大陆
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SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M
1最小包装量--
GS8128236GD-200V详情
GSI Technology GS8128236GD-200V重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
BGA-165
表面安装
YES
终端数量
165
RoHS
Details
Maximum Clock Frequency
200 MHz
Interface Type
Parallel
Supply Voltage-Min
2.3 V
Minimum Operating Temperature
0 C
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Mounting Styles
SMD/SMT
Memory Types
SDR
Moisture Sensitive
有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
10
Tradename
SyncBurst
Supply Voltage-Max
3.6 V
Package Description
LBGA,
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE
Number of Words Code
4000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
GS8128236GD-200V
Number of Words
4194304 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
LBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
GSI TECHNOLOGY
Risk Rank
5.69
包装
Tray
系列
GS8128236GD
ECCN 代码
3A991.B.2.B
类型
SCD/DCD Pipeline/Flow Through
附加功能
IT ALSO OPERATES AT 2.3 TO 2.7 V SUPPLY VOLTAGE
HTS代码
8542.32.00.41
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B165
温度等级
OTHER
内存大小
144 Mbit
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
330 mA, 400 mA
访问时间
6.5 ns
组织结构
4 M x 36
座位高度-最大
1.4 mm
内存宽度
36
记忆密度
150994944 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
缓存SRAM
电压 - 供电 (最大值)
2 V
电压 - 供电 (最小值)
1.7 V
宽度
13 mm
长度
15 mm
GS8128236GD-200V拓展信息
GSI Technology
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