GSI Technology GS81282Z18GB-333V
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GS81282Z18GB-333V
2984-GS81282Z18GB-333V
存储器
BGA-119
大陆
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SRAM 1.8/2.5V 8M x 18 144M
1最小包装量--
GS81282Z18GB-333V详情
GSI Technology GS81282Z18GB-333V重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
包装/外壳
BGA-119
表面安装
YES
终端数量
119
RoHS
Details
Maximum Clock Frequency
333 MHz
Interface Type
Parallel
Supply Voltage-Min
2.3 V
Minimum Operating Temperature
0 C
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Mounting Styles
SMD/SMT
Memory Types
SDR
Moisture Sensitive
有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
10
Tradename
NBT SRAM
Supply Voltage-Max
3.6 V
Package Description
BGA,
Package Style
网格排列
Number of Words Code
8000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
4.5 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
GS81282Z18GB-333V
Number of Words
8388608 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
BGA
Package Shape
RECTANGULAR
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
GSI TECHNOLOGY
Risk Rank
5.68
包装
Tray
系列
GS81282Z18GB
操作温度
0 to 85 °C
类型
NBT Pipeline/Flow Through
附加功能
IT ALSO OPERATES AT 2.5 V NOMINAL SUPPLY VOLTAGE
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B119
温度等级
OTHER
内存大小
144 Mbit
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
400 mA, 530 mA
访问时间
4.5 ns
组织结构
8 M x 18
座位高度-最大
1.99 mm
内存宽度
18
记忆密度
150994944 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
ZBT SRAM
电压 - 供电 (最大值)
2 V
电压 - 供电 (最小值)
1.7 V
宽度
14 mm
长度
22 mm
GS81282Z18GB-333V拓展信息
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