GSI Technology GS8128418GB-250I
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GS8128418GB-250I
2984-GS8128418GB-250I
存储器
BGA-119
大陆
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Cache SRAM, 8MX18, 6.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-119
1最小包装量--
GS8128418GB-250I详情
GSI Technology GS8128418GB-250I重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
BGA-119
安装类型
表面贴装
引脚数
119
供应商器件包装
119-FPBGA (22x14)
Maximum Clock Rate
153.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz
Supplier Package
FBGA
Data Rate Architecture
SDR
Typical Operating Supply Voltage
2.5, 3.3 V
Minimum Operating Supply Voltage
2.3, 3 V
Timing Type
Synchronous
Number of Words
8 MWords
Number of I/O Lines
18 Bit
Maximum Operating Supply Voltage
2.7, 3.6 V
Mounting
表面贴装
Moisture Sensitive
有
Maximum Clock Frequency
250 MHz
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Supply Voltage-Max
3.6 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
10
Supply Voltage-Min
2.3 V
Mounting Styles
SMD/SMT
Interface Type
Parallel
Manufacturer
GSI技术
Brand
GSI技术
Tradename
SyncBurst
RoHS
Details
Memory Types
SDR
Package
Tray
Base Product Number
GS8128418
厂商
GSI Technology Inc.
Product Status
活跃
Usage Level
Industrial grade
操作温度
-40 to 85 °C
系列
GS8128418GB
包装
Tray
类型
SCD/DCD Pipeline/Flow Through
子类别
Memory & Data Storage
技术
SRAM - Synchronous, Standard
电压 - 供电
2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V
内存大小
144 Mbit
端口的数量
2
时钟频率
250 MHz
电源电流-最大值
390 mA, 490 mA
访问时间
6.5 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
建筑学
Flow-Through/Pipelined
组织结构
8 M x 18
写入周期时间 - 字符、页面
-
地址总线宽度
23 Bit
产品类别
SRAM
密度
144 Mbit
筛选水平
Industrial
产品类别
SRAM
组织的记忆
8M x 18
GS8128418GB-250I拓展信息
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