GSI Technology GS8128436GB-200IV

包装/外壳

BGA-119

RoHS

Compliant

Moisture Sensitive

有

Maximum Clock Frequency

200 MHz

Maximum Operating Temperature

+ 85 C

Supply Voltage-Max

3.6 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

10

Supply Voltage-Min

2.3 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Interface Type

Parallel

Manufacturer

GSI技术

Brand

GSI技术

Tradename

SyncBurst

Memory Types

SDR

系列

GS8128436GB

包装

Tray

类型

SCD/DCD Pipeline/Flow Through

最高工作温度

85 °C

最小工作温度

-40 °C

子类别

Memory & Data Storage

内存大小

144 Mbit

端口的数量

4

电源电流-最大值

385 mA, 475 mA

访问时间

7.5 ns

组织结构

4 M x 36

地址总线宽度

22 b

产品类别

SRAM

密度

144 Mb

记忆密度

144

产品类别

SRAM

辐射硬化

无