GSI Technology GS81302D38E-400
- 收藏
- 对比
GS81302D38E-400
2984-GS81302D38E-400
存储器
--
大陆
立即发货

DDR SRAM, 4MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
1最小包装量--
GS81302D38E-400详情
GSI Technology GS81302D38E-400重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
表面安装
YES
引脚数
165
终端数量
165
Maximum Clock Rate
400 MHz
Supplier Package
FBGA
Data Rate Architecture
QDR
Typical Operating Supply Voltage
1.8000 V
Minimum Operating Supply Voltage
1.7 V
Timing Type
Synchronous
Number of Words
4 MWords
Number of I/O Lines
36 Bit
Maximum Operating Supply Voltage
1.9 V
Mounting
表面贴装
Package Description
LBGA,
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE
Number of Words Code
4000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
0.45 ns
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
GS81302D38E-400
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
LBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
GSI技术
Part Life Cycle Code
不推荐
Ihs Manufacturer
GSI TECHNOLOGY
Risk Rank
5.06
Part Package Code
BGA
Usage Level
Commercial grade
操作温度
0 to 85 °C
ECCN 代码
3A991.B.2.B
附加功能
流水线结构
HTS代码
8542.32.00.41
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B165
资历状况
不合格
端口的数量
2
操作模式
SYNCHRONOUS
建筑学
Pipelined
组织结构
4MX36
座位高度-最大
1.5 mm
内存宽度
36
地址总线宽度
20 Bit
密度
144 Mbit
记忆密度
150994944 bit
筛选水平
Commercial
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
DDR SRAM
电压 - 供电 (最大值)
1.9 V
电压 - 供电 (最小值)
1.7 V
宽度
15 mm
长度
17 mm
GS81302D38E-400拓展信息
GSI Technology
GSI Technology
GSI Technology
GSI Technology
GSI Technology
GSI Technology
GSI Technology
GSI Technology
GSI Technology
GSI Technology







哦! 它是空的。