GSI Technology GS81302TT19E-400I

工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

BGA-165

表面安装

YES

终端数量

165

Maximum Clock Rate

400 MHz

Supplier Package

FBGA

Data Rate Architecture

DDR

Typical Operating Supply Voltage

1.8000 V

Minimum Operating Supply Voltage

1.7 V

Timing Type

Synchronous

Number of Words

8 MWords

Number of I/O Lines

18 Bit

Maximum Operating Supply Voltage

1.9 V

Mounting

表面贴装

Moisture Sensitive

有

Maximum Clock Frequency

400 MHz

Maximum Operating Temperature

+ 85 C

Supply Voltage-Max

1.9 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

10

Supply Voltage-Min

1.7 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Interface Type

Parallel

Manufacturer

GSI技术

Brand

GSI技术

Tradename

SigmaDDR-II+

Memory Types

DDR-II

Package Description

LBGA,

Package Style

GRID ARRAY, LOW PROFILE

Number of Words Code

8000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

0.45 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

GS81302TT19E-400I

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

Package Code

LBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

不推荐

Ihs Manufacturer

GSI TECHNOLOGY

Risk Rank

5.06

Part Package Code

BGA

Usage Level

Industrial grade

操作温度

-40 to 100 °C

系列

GS81302TT19E

包装

Tray

无铅代码

无

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

SigmaDDR-II+ B2

附加功能

PIPELINED ARCHITECTURE, LATE WRITE

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

165

JESD-30代码

R-PBGA-B165

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

1.9 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

1.7 V

内存大小

144 Mbit

端口的数量

1

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

905 mA

建筑学

Pipelined

组织结构

8 M x 18

座位高度-最大

1.5 mm

内存宽度

18

地址总线宽度

22 Bit

产品类别

SRAM

密度

144 Mbit

记忆密度

150994944 bit

筛选水平

Industrial

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

DDR SRAM

产品类别

SRAM

宽度

15 mm

长度

17 mm