GSI Technology GS81302TT37GE-400

工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

BGA-165

表面安装

YES

引脚数

165

终端数量

165

Maximum Clock Rate

400 MHz

Typical Operating Supply Voltage

1.8000 V

Minimum Operating Supply Voltage

1.7 V

Timing Type

Synchronous

Number of I/O Lines

36 Bit

Maximum Operating Supply Voltage

1.9 V

Moisture Sensitive

有

Maximum Clock Frequency

400 MHz

Maximum Operating Temperature

+ 70 C

Supply Voltage-Max

1.9 V

Minimum Operating Temperature

0 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

10

Supply Voltage-Min

1.7 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Interface Type

Parallel

Manufacturer

GSI技术

Brand

GSI技术

Tradename

SigmaDDR-II+

RoHS

Details

Memory Types

DDR-II

Package Description

LBGA,

Package Style

GRID ARRAY, LOW PROFILE

Part Package Code

BGA

Risk Rank

5.06

Ihs Manufacturer

GSI TECHNOLOGY

Part Life Cycle Code

不推荐

Package Shape

RECTANGULAR

Package Code

LBGA

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

Number of Words

4194304 words

Manufacturer Part Number

GS81302TT37GE-400

Rohs Code

有

Operating Temperature-Max

70 °C

Access Time-Max

0.45 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Number of Words Code

4000000

Moisture Sensitivity Levels

3

操作温度

0 to 85 °C

系列

GS81302TT37GE

包装

Tray

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

SigmaDDR-II+ B2

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

PIPELINED ARCHITECTURE, LATE WRITE

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B165

资历状况

不合格

温度等级

COMMERCIAL

内存大小

144 Mbit

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

995 mA

访问时间

0.45

组织结构

4 M x 36

座位高度-最大

1.5 mm

内存宽度

36

产品类别

SRAM

记忆密度

144

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

DDR SRAM

电压 - 供电 （最大值）

1.9 V

电压 - 供电 （最小值）

1.7 V

产品类别

SRAM

宽度

15 mm

长度

17 mm