GSI Technology GS81313LQ18GK-800I

工厂交货时间

12 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

260-BGA

表面安装

YES

引脚数

260

供应商器件包装

260-BGA (22x14)

终端数量

260

Supplier Package

BGA

Typical Operating Supply Voltage

1.2500 V

Minimum Operating Supply Voltage

1.2 V

Timing Type

Synchronous

Number of Words

8 MWords

Number of I/O Lines

18 Bit

Maximum Operating Supply Voltage

1.35 V

Package

Tray

Base Product Number

GS81313LQ18

厂商

GSI Technology Inc.

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Maximum Clock Frequency

800 MHz

Maximum Operating Temperature

+ 100 C

Supply Voltage-Max

1.35 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Supply Voltage-Min

1.2 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Interface Type

Parallel

Package Description

HBGA,

Package Style

GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG

Number of Words Code

8000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

GS81313LQ18GK-800I

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.25 V

Package Code

HBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

GSI技术

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

GSI TECHNOLOGY

Risk Rank

2.27

操作温度

-40 to 100 °C

系列

-

ECCN 代码

3A991.B.2.B

HTS代码

8542.32.00.41

技术

SRAM - Quad Port, Synchronous, QDR IIIe

电压 - 供电

1.2V ~ 1.35V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B260

内存大小

144Mbit

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

800 MHz

电源电流-最大值

1.9 A

访问时间

10

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

8 M x 18

座位高度-最大

2.3 mm

内存宽度

18

写入周期时间 - 字符、页面

-

记忆密度

144

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

DDR SRAM

电压 - 供电 （最大值）

1.35 V

电压 - 供电 （最小值）

1.2 V

组织的记忆

8M x 18

宽度

14 mm

长度

22 mm