GSI Technology GS81314LD19GK-800
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GS81314LD19GK-800
2984-GS81314LD19GK-800
存储器
BGA-260
大陆
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SRAM 1.2/1.25V 8M x 18 144M
1最小包装量--
GS81314LD19GK-800详情
GSI Technology GS81314LD19GK-800重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
BGA-260
表面安装
YES
终端数量
260
RoHS
Details
Maximum Clock Frequency
800 MHz
Interface Type
Parallel
Supply Voltage-Min
1.2 V
Minimum Operating Temperature
0 C
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Mounting Styles
SMD/SMT
Memory Types
QDR-IVe
Moisture Sensitive
有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
10
Tradename
SigmaQuad-IVe
Supply Voltage-Max
1.35 V
Package Description
HBGA,
Package Style
GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG
Number of Words Code
8000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
GS81314LD19GK-800
Number of Words
8388608 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.2 V
Package Code
HBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
GSI TECHNOLOGY
Risk Rank
5.8
包装
Tray
系列
GS81314LD19GK
ECCN 代码
3A991.B.2.B
类型
SigmaQuad-IVe B4
HTS代码
8542.32.00.41
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B260
温度等级
OTHER
内存大小
144 Mbit
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
2.05 A
组织结构
8 M x 18
座位高度-最大
2.3 mm
内存宽度
18
记忆密度
150994944 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
DDR SRAM
电压 - 供电 (最大值)
1.35 V
电压 - 供电 (最小值)
1.15 V
宽度
14 mm
长度
22 mm
GS81314LD19GK-800拓展信息
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