GSI Technology GS816018DGT-200V
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GS816018DGT-200V
2984-GS816018DGT-200V
存储器
TQFP-100
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Cache SRAM, 1MX18, 6.5ns, CMOS, PQFP100, ROHS COMPLIANT, TQFP-100
1最小包装量--
GS816018DGT-200V详情
GSI Technology GS816018DGT-200V重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TQFP-100
引脚数
100
Maximum Clock Rate
153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz
Supplier Package
TQFP
Typical Operating Supply Voltage
1.8, 2.5 V
Minimum Operating Supply Voltage
1.7, 2.3 V
Timing Type
Synchronous
Number of I/O Lines
18 Bit
Maximum Operating Supply Voltage
2, 2.7 V
RoHS
Compliant
Moisture Sensitive
有
Maximum Clock Frequency
200 MHz
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Supply Voltage-Max
3.6 V
Unit Weight
0.469316 oz
Minimum Operating Temperature
0 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
18
Supply Voltage-Min
2.3 V
Mounting Styles
SMD/SMT
Interface Type
Parallel
Manufacturer
GSI技术
Brand
GSI技术
Tradename
SyncBurst
Memory Types
SDR
操作温度
0 to 85 °C
包装
Bulk
系列
GS816018DGT
类型
Pipeline/Flow Through
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
0 °C
子类别
Memory & Data Storage
内存大小
18 Mbit
端口的数量
2
电源电流-最大值
195 mA
访问时间
6.5@Flow-Through/3@P
组织结构
1 M x 18
地址总线宽度
21 b
产品类别
SRAM
密度
18 Mb
记忆密度
18
产品类别
SRAM
辐射硬化
无
GS816018DGT-200V拓展信息
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