GSI Technology GS816036DGT-333I
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GS816036DGT-333I
2984-GS816036DGT-333I
存储器
TQFP-100
大陆
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Cache SRAM, 512KX36, 4.5ns, CMOS, PQFP100, ROHS COMPLIANT, TQFP-100
1最小包装量--
GS816036DGT-333I详情
GSI Technology GS816036DGT-333I重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
TQFP-100
安装类型
表面贴装
引脚数
100
供应商器件包装
100-TQFP (20x14)
Maximum Clock Rate
222.2@Flow-Through/333@Pipelined MHz
Supplier Package
TQFP
Data Rate Architecture
SDR
Typical Operating Supply Voltage
2.5, 3.3 V
Minimum Operating Supply Voltage
2.3, 3 V
Timing Type
Synchronous
Number of Words
512 kWords
Number of I/O Lines
36 Bit
Maximum Operating Supply Voltage
2.7, 3.6 V
Mounting
表面贴装
Moisture Sensitive
有
Maximum Clock Frequency
333 MHz
Maximum Operating Temperature
+ 100 C
Supply Voltage-Max
3.6 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
36
Supply Voltage-Min
2.3 V
Mounting Styles
SMD/SMT
Interface Type
Parallel
Manufacturer
GSI技术
Brand
GSI技术
Tradename
SyncBurst
RoHS
Details
Memory Types
SDR
Product Status
活跃
厂商
GSI Technology Inc.
Base Product Number
GS816036
Package
Tray
Usage Level
Industrial grade
操作温度
-40 to 100 °C
系列
GS816036DGT
包装
Tray
类型
Pipeline/Flow Through
子类别
Memory & Data Storage
技术
SRAM - Synchronous, Standard
电压 - 供电
2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V
内存大小
18 Mbit
端口的数量
4
时钟频率
333 MHz
电源电流-最大值
280 mA, 335 mA
访问时间
4.5 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
建筑学
Flow-Through/Pipelined
组织结构
512 k x 36
写入周期时间 - 字符、页面
-
地址总线宽度
20 Bit
产品类别
SRAM
密度
18 Mbit
筛选水平
Industrial
产品类别
SRAM
组织的记忆
512K x 36
GS816036DGT-333I拓展信息
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