GSI Technology GS8160E18DGT-150
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GS8160E18DGT-150
2984-GS8160E18DGT-150
存储器
TQFP-100
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Cache SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, ROHS COMPLIANT, TQFP-100
1最小包装量--
GS8160E18DGT-150详情
GSI Technology GS8160E18DGT-150重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
TQFP-100
Moisture Sensitive
有
Maximum Clock Frequency
150 MHz
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Supply Voltage-Max
3.6 V
Minimum Operating Temperature
0 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
36
Supply Voltage-Min
2.3 V
Mounting Styles
SMD/SMT
Interface Type
Parallel
Manufacturer
GSI技术
Brand
GSI技术
Tradename
SyncBurst
RoHS
Details
Memory Types
SDR
系列
GS8160E18DGT
包装
Tray
类型
Pipeline/Flow Through
子类别
Memory & Data Storage
内存大小
18 Mbit
电源电流-最大值
170 mA, 180 mA
访问时间
7.5 ns
组织结构
1 M x 18
产品类别
SRAM
产品类别
SRAM
GS8160E18DGT-150拓展信息
GSI Technology
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