GSI Technology GS8160F18DGT-7.5
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GS8160F18DGT-7.5
2984-GS8160F18DGT-7.5
存储器
TQFP-100
大陆
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SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
1最小包装量--
GS8160F18DGT-7.5详情
GSI Technology GS8160F18DGT-7.5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TQFP-100
RoHS
Details
Interface Type
Parallel
Supply Voltage-Min
2.3 V
Minimum Operating Temperature
0 C
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Mounting Styles
SMD/SMT
Memory Types
SDR
Moisture Sensitive
有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
18
Tradename
SyncBurst
Supply Voltage-Max
3.6 V
包装
Tray
系列
GS8160F18DGT
类型
流过
内存大小
18 Mbit
电源电流-最大值
180 mA
访问时间
7.5 ns
组织结构
1 M x 18
GS8160F18DGT-7.5拓展信息
GSI Technology
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