GSI Technology GS8160F36DGT-7.5I

包装/外壳

TQFP-100

表面安装

YES

引脚数

100

终端数量

100

Maximum Clock Rate

133.3 MHz

Supplier Package

TQFP

Data Rate Architecture

SDR

Typical Operating Supply Voltage

2.5, 3.3 V

Minimum Operating Supply Voltage

2.3, 3 V

Timing Type

Synchronous

Mounting

表面贴装

Maximum Operating Supply Voltage

2.7, 3.6 V

Number of I/O Lines

36 Bit

Number of Words

512 kWords

Moisture Sensitive

有

Maximum Clock Frequency

-

Maximum Operating Temperature

+ 100 C

Supply Voltage-Max

3.6 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

18

Supply Voltage-Min

2.3 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Interface Type

Parallel

Manufacturer

GSI技术

Brand

GSI技术

Tradename

SyncBurst

RoHS

Details

Memory Types

SDR

Package Description

LQFP,

Package Style

FLATPACK, LOW PROFILE

Number of Words Code

512000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

GS8160F36DGT-7.5I

Supply Voltage-Nom (Vsup)

2.5 V

Package Code

LQFP

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

GSI TECHNOLOGY

Risk Rank

5.47

Usage Level

Industrial grade

操作温度

-40 to 85 °C

系列

GS8160F36DGT

包装

Tray

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

流过

附加功能

IT ALSO OPERATES AT 3 V TO 3.6 V SUPPLY VOLTAGE

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

技术

CMOS

端子位置

QUAD

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

0.65 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PQFP-G100

内存大小

18 Mbit

端口的数量

4

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

210 mA

访问时间

7.5 ns

建筑学

Flow-Through

组织结构

512 k x 36

座位高度-最大

1.6 mm

内存宽度

36

地址总线宽度

19 Bit

产品类别

SRAM

密度

18 Mbit

记忆密度

18874368 bit

筛选水平

Industrial

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

缓存SRAM

电压 - 供电 （最大值）

2.7 V

电压 - 供电 （最小值）

2.3 V

产品类别

SRAM

宽度

14 mm

长度

20 mm