GSI Technology GS8160Z36DGT-333IV

包装/外壳

TQFP-100

安装类型

表面贴装

引脚数

100

供应商器件包装

100-TQFP (20x14)

Maximum Clock Rate

333 MHz

Supplier Package

TQFP

Data Rate Architecture

SDR

Typical Operating Supply Voltage

1.8, 2.5 V

Minimum Operating Supply Voltage

1.7, 2.3 V

Timing Type

Synchronous

Number of Words

512 kWords

Number of I/O Lines

36 Bit

Maximum Operating Supply Voltage

2, 2.7 V

Mounting

表面贴装

Memory Types

SDR

RoHS

Details

Tradename

NBT SRAM

Brand

GSI技术

Manufacturer

GSI技术

Interface Type

Parallel

Mounting Styles

SMD/SMT

Supply Voltage-Min

1.7 V

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

18

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Supply Voltage-Max

2.7 V

Maximum Operating Temperature

+ 100 C

Maximum Clock Frequency

333 MHz

Moisture Sensitive

有

Package

Tray

Base Product Number

GS8160Z36

厂商

GSI Technology Inc.

Product Status

活跃

Usage Level

Industrial grade

操作温度

-40 to 85 °C

包装

Tray

系列

GS8160Z36DGT

类型

NBT

子类别

Memory & Data Storage

技术

SRAM - Synchronous, ZBT

电压 - 供电

1.7V ~ 2V, 2.3V ~ 2.7V

内存大小

18 Mbit

端口的数量

4

时钟频率

333 MHz

电源电流-最大值

260 mA, 330 mA

访问时间

5 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

建筑学

Flow-Through/Pipelined

组织结构

512 k x 36

写入周期时间 - 字符、页面

-

地址总线宽度

19 Bit

产品类别

SRAM

密度

18 Mbit

筛选水平

Industrial

产品类别

SRAM

组织的记忆

512K x 36