GSI Technology GS816118DGD-200V

工厂交货时间

10 Weeks

包装/外壳

BGA-165

表面安装

YES

引脚数

165

终端数量

165

Supplier Package

FBGA

Data Rate Architecture

SDR

Typical Operating Supply Voltage

1.8, 2.5 V

Minimum Operating Supply Voltage

1.7, 2.3 V

Timing Type

Synchronous

Number of Words

1 MWords

Number of I/O Lines

18 Bit

Maximum Operating Supply Voltage

2, 2.7 V

Mounting

表面贴装

Moisture Sensitive

有

Maximum Clock Frequency

200 MHz

Maximum Operating Temperature

+ 85 C

Supply Voltage-Max

2.7 V

Memory Types

SDR

RoHS

Details

Tradename

SyncBurst

Brand

GSI技术

Manufacturer

GSI技术

Interface Type

Parallel

Mounting Styles

SMD/SMT

Supply Voltage-Min

1.7 V

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

18

Minimum Operating Temperature

0 C

Part Package Code

BGA

Risk Rank

5.26

Ihs Manufacturer

GSI TECHNOLOGY

Part Life Cycle Code

活跃

Package Shape

RECTANGULAR

Package Code

LBGA

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

Manufacturer Part Number

GS816118DGD-200V

Rohs Code

有

Operating Temperature-Max

70 °C

Access Time-Max

6.5 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Number of Words Code

1000000

Package Style

GRID ARRAY, LOW PROFILE

Package Description

LBGA,

Usage Level

Commercial grade

操作温度

0 to 85 °C

系列

GS816118DGD

包装

Tray

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

同步突发

附加功能

ALSO OPERATES AT 2.5V

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B165

温度等级

COMMERCIAL

内存大小

18 Mbit

端口的数量

2

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

190 mA, 195 mA

访问时间

6.5 ns

建筑学

Flow-Through/Pipelined

组织结构

1 M x 18

座位高度-最大

1.4 mm

内存宽度

18

产品类别

SRAM

密度

18 Mbit

记忆密度

18874368 bit

筛选水平

Commercial

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

缓存SRAM

电压 - 供电 （最大值）

2 V

电压 - 供电 （最小值）

1.7 V

产品类别

SRAM

长度

15 mm

宽度

13 mm