GSI Technology GS816118DGD-333I
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GS816118DGD-333I
2984-GS816118DGD-333I
存储器
165-LBGA
大陆
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Cache SRAM, 1MX18, 4.5ns, CMOS, PBGA165, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165
1最小包装量--
GS816118DGD-333I详情
GSI Technology GS816118DGD-333I重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
165-LBGA
引脚数
165
供应商器件包装
165-FPBGA (13x15)
Maximum Clock Rate
222.2@Flow-Through/333@Pipelined MHz
Supplier Package
FBGA
Data Rate Architecture
SDR
Typical Operating Supply Voltage
2.5, 3.3 V
Minimum Operating Supply Voltage
2.3, 3 V
Timing Type
Synchronous
Number of Words
1 MWords
Number of I/O Lines
18 Bit
Maximum Operating Supply Voltage
2.7, 3.6 V
Mounting
表面贴装
RoHS
Compliant
Package
Tray
Base Product Number
GS816118
厂商
GSI Technology Inc.
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
Maximum Clock Frequency
333 MHz
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Supply Voltage-Max
3.6 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Supply Voltage-Min
2.3 V
Mounting Styles
SMD/SMT
Interface Type
Parallel
Usage Level
Industrial grade
操作温度
-40 to 85 °C
包装
Bulk
系列
-
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-40 °C
技术
SRAM - Synchronous, Standard
电压 - 供电
2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V
内存大小
18Mbit
端口的数量
2
时钟频率
333 MHz
电源电流-最大值
260 mA, 305 mA
访问时间
4.5 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
建筑学
Flow-Through/Pipelined
组织结构
1 M x 18
写入周期时间 - 字符、页面
-
地址总线宽度
20 Bit
密度
18 Mbit
筛选水平
Industrial
组织的记忆
1M x 18
辐射硬化
无
GS816118DGD-333I拓展信息
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