GSI Technology GS816136DGT-375
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GS816136DGT-375
2984-GS816136DGT-375
存储器
TQFP-100
大陆
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Cache SRAM, 512KX36, 4.2ns, CMOS, PQFP100, ROHS COMPLIANT, TQFP-100
1最小包装量--
GS816136DGT-375详情
GSI Technology GS816136DGT-375重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
TQFP-100
Supplier Package
TQFP
Data Rate Architecture
SDR
Typical Operating Supply Voltage
2.5, 3.3 V
Minimum Operating Supply Voltage
2.3, 3 V
Timing Type
Synchronous
Number of Words
512 kWords
Number of I/O Lines
36 Bit
Maximum Operating Supply Voltage
2.7, 3.6 V
Mounting
表面贴装
RoHS
Compliant
Moisture Sensitive
有
Maximum Clock Frequency
375 MHz
Maximum Operating Temperature
+ 70 C
Supply Voltage-Max
3.6 V
Minimum Operating Temperature
0 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
36
Supply Voltage-Min
2.3 V
Mounting Styles
SMD/SMT
Interface Type
Parallel
Manufacturer
GSI技术
Brand
GSI技术
Tradename
SyncBurst
Memory Types
SDR
Usage Level
Commercial grade
操作温度
0 to 70 °C
包装
Bulk
系列
GS816136DGT
类型
Pipeline/Flow Through
最高工作温度
70 °C
最小工作温度
0 °C
子类别
Memory & Data Storage
引脚数量
100
内存大小
18 Mbit
端口的数量
4
电源电流-最大值
270 mA, 350 mA
访问时间
4.2 ns
建筑学
Flow-Through/Pipelined
组织结构
512 k x 36
地址总线宽度
19 b
产品类别
SRAM
密度
18 Mbit
筛选水平
Commercial
产品类别
SRAM
辐射硬化
无
GS816136DGT-375拓展信息
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