GSI Technology GS8161E18DD-200
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GS8161E18DD-200
2984-GS8161E18DD-200
存储器
BGA-165
大陆
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Cache SRAM, 1MX18, 6.5ns, CMOS, PBGA165, FPBGA-165
1最小包装量--
GS8161E18DD-200详情
GSI Technology GS8161E18DD-200重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
BGA-165
RoHS
Compliant
Moisture Sensitive
有
Maximum Clock Frequency
200 MHz
Maximum Operating Temperature
+ 70 C
Supply Voltage-Max
3.6 V
Minimum Operating Temperature
0 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
36
Supply Voltage-Min
2.3 V
Mounting Styles
SMD/SMT
Interface Type
Parallel
Manufacturer
GSI技术
Brand
GSI技术
Tradename
SyncBurst
Memory Types
SDR
包装
Bulk
系列
GS8161E18DD
类型
DCD Pipeline/Flow Through
最高工作温度
70 °C
最小工作温度
0 °C
子类别
Memory & Data Storage
内存大小
18 Mbit
端口的数量
2
电源电流-最大值
195 mA
访问时间
6.5 ns
组织结构
1 M x 18
地址总线宽度
20 b
产品类别
SRAM
密度
18 Mb
产品类别
SRAM
辐射硬化
无
GS8161E18DD-200拓展信息
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