GSI Technology GS8161E18DGT-400

工厂交货时间

10 Weeks

包装/外壳

TQFP-100

表面安装

YES

引脚数

100

终端数量

100

Maximum Clock Rate

250@Flow-Through/400@Pipelined MHz

Supplier Package

TQFP

Data Rate Architecture

SDR

Typical Operating Supply Voltage

2.5, 3.3 V

Minimum Operating Supply Voltage

2.3, 3 V

Timing Type

Synchronous

Number of Words

1 MWords

Number of I/O Lines

18 Bit

Maximum Operating Supply Voltage

2.7, 3.6 V

Mounting

表面贴装

Moisture Sensitive

有

Maximum Clock Frequency

400 MHz

Maximum Operating Temperature

+ 70 C

Supply Voltage-Max

3.6 V

Minimum Operating Temperature

0 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

36

Supply Voltage-Min

2.3 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Interface Type

Parallel

Manufacturer

GSI技术

Brand

GSI技术

Tradename

SyncBurst

RoHS

Details

Memory Types

SDR

Supply Voltage-Nom (Vsup)

2.5 V

Package Code

QFP

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

GSI TECHNOLOGY

Risk Rank

5.42

Part Package Code

QFP

Manufacturer Part Number

GS8161E18DGT-400

Rohs Code

有

Operating Temperature-Max

70 °C

Access Time-Max

4 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Body Material

UNSPECIFIED

Number of Words Code

1000000

Package Style

FLATPACK

Package Description

QFP,

Usage Level

Commercial grade

操作温度

0 to 70 °C

系列

GS8161E18DGT

包装

Tray

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

DCD Pipeline/Flow Through

附加功能

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

技术

CMOS

端子位置

QUAD

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-XQFP-G100

资历状况

不合格

温度等级

COMMERCIAL

内存大小

18 Mbit

端口的数量

2

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

255 mA, 335 mA

访问时间

4 ns

建筑学

Flow-Through/Pipelined

组织结构

1 M x 18

内存宽度

18

地址总线宽度

20 Bit

产品类别

SRAM

密度

18 Mbit

记忆密度

18874368 bit

筛选水平

Commercial

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

缓存SRAM

电压 - 供电 （最大值）

2.7 V

电压 - 供电 （最小值）

2.3 V

产品类别

SRAM