GSI Technology GS8161Z18DD-400

工厂交货时间

10 Weeks

包装/外壳

BGA-165

表面安装

YES

引脚数

165

终端数量

165

Maximum Clock Rate

250@Flow-Through/400@Pipelined MHz

Supplier Package

FBGA

Data Rate Architecture

SDR

Typical Operating Supply Voltage

2.5, 3.3 V

Minimum Operating Supply Voltage

2.3, 3 V

Timing Type

Synchronous

Number of Words

1 MWords

Number of I/O Lines

18 Bit

Maximum Operating Supply Voltage

2.7, 3.6 V

Mounting

表面贴装

Moisture Sensitive

有

Maximum Clock Frequency

400 MHz

Maximum Operating Temperature

+ 70 C

Supply Voltage-Max

3.6 V

Minimum Operating Temperature

0 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

36

Supply Voltage-Min

2.3 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Interface Type

Parallel

Manufacturer

GSI技术

Brand

GSI技术

Tradename

NBT SRAM

RoHS

N

Memory Types

SDR

Package Description

LBGA,

Package Style

GRID ARRAY, LOW PROFILE

Number of Words Code

1000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

4 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

GS8161Z18DD-400

Supply Voltage-Nom (Vsup)

2.5 V

Package Code

LBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

GSI TECHNOLOGY

Risk Rank

5.26

Part Package Code

BGA

Usage Level

Commercial grade

操作温度

0 to 70 °C

系列

GS8161Z18DD

包装

Tray

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

NBT

附加功能

FLOW THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, ALSO OPERATES AT 3.3V

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B165

温度等级

COMMERCIAL

内存大小

18 Mbit

端口的数量

2

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

255 mA, 335 mA

访问时间

4 ns

建筑学

Flow-Through/Pipelined

组织结构

1 M x 18

座位高度-最大

1.4 mm

内存宽度

18

地址总线宽度

20 Bit

产品类别

SRAM

密度

18 Mbit

记忆密度

18874368 bit

筛选水平

Commercial

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

ZBT SRAM

电压 - 供电 （最大值）

2.7 V

电压 - 供电 （最小值）

2.3 V

产品类别

SRAM

宽度

13 mm

长度

15 mm