GSI Technology GS8161Z36DGT-150I

工厂交货时间

10 Weeks

包装/外壳

TQFP-100

表面安装

YES

终端数量

100

Maximum Clock Rate

133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz

Supplier Package

TQFP

Data Rate Architecture

SDR

Typical Operating Supply Voltage

2.5, 3.3 V

Minimum Operating Supply Voltage

2.3, 3 V

Timing Type

Synchronous

Number of Words

512 kWords

Number of I/O Lines

36 Bit

Maximum Operating Supply Voltage

2.7, 3.6 V

Mounting

表面贴装

Moisture Sensitive

有

Maximum Clock Frequency

150 MHz

Maximum Operating Temperature

+ 85 C

Supply Voltage-Max

3.6 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

36

Memory Types

SDR

RoHS

Details

Tradename

NBT SRAM

Brand

GSI技术

Manufacturer

GSI技术

Interface Type

Parallel

Mounting Styles

SMD/SMT

Supply Voltage-Min

2.3 V

Package Description

LQFP,

Package Style

FLATPACK, LOW PROFILE

Number of Words Code

512000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

7.5 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

GS8161Z36DGT-150I

Supply Voltage-Nom (Vsup)

2.5 V

Package Code

LQFP

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

GSI TECHNOLOGY

Risk Rank

1.66

Part Package Code

QFP

Usage Level

Industrial grade

操作温度

-40 to 85 °C

系列

GS8161Z36DGT

包装

Tray

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

NBT

附加功能

ALSO OPERATES AT 3.3V

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

技术

CMOS

端子位置

QUAD

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

0.65 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

100

JESD-30代码

R-PQFP-G100

电源电压-最大值(Vsup)

2.7 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.3 V

内存大小

18 Mbit

端口的数量

4

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

200 mA, 210 mA

访问时间

7.5 ns

建筑学

Flow-Through/Pipelined

组织结构

512 k x 36

座位高度-最大

1.6 mm

内存宽度

36

地址总线宽度

19 Bit

产品类别

SRAM

密度

18 Mbit

记忆密度

18874368 bit

筛选水平

Industrial

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

ZBT SRAM

产品类别

SRAM

宽度

14 mm

长度

20 mm