GSI Technology GS816218DD-250IV

工厂交货时间

10 Weeks

包装/外壳

BGA-165

表面安装

YES

引脚数

165

终端数量

165

Maximum Clock Rate

181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz

Supplier Package

FBGA

Data Rate Architecture

SDR

Typical Operating Supply Voltage

1.8, 2.5 V

Minimum Operating Supply Voltage

1.7, 2.3 V

Timing Type

Synchronous

Number of Words

1 MWords

Number of I/O Lines

18 Bit

Maximum Operating Supply Voltage

2, 2.7 V

Mounting

表面贴装

Moisture Sensitive

有

Maximum Clock Frequency

250 MHz

Maximum Operating Temperature

+ 85 C

Supply Voltage-Max

2.7 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

18

Supply Voltage-Min

1.7 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Interface Type

Parallel

Manufacturer

GSI技术

Brand

GSI技术

Tradename

SyncBurst

Memory Types

SDR

Part Package Code

BGA

Risk Rank

5.25

Ihs Manufacturer

GSI TECHNOLOGY

Part Life Cycle Code

活跃

Package Shape

RECTANGULAR

Package Code

LBGA

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

Manufacturer Part Number

GS816218DD-250IV

Rohs Code

无

Operating Temperature-Max

85 °C

Access Time-Max

5.5 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Min

-40 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Number of Words Code

1000000

Package Style

GRID ARRAY, LOW PROFILE

Package Description

LBGA,

Usage Level

Industrial grade

操作温度

-40 to 100 °C

系列

GS816218DD

包装

Tray

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

Pipeline/Flow Through

附加功能

ALSO OPERATES AT 2.5V

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B165

温度等级

INDUSTRIAL

内存大小

18 Mbit

端口的数量

2

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

225 mA, 245 mA

访问时间

5.5 ns

建筑学

Flow-Through/Pipelined

组织结构

1 M x 18

座位高度-最大

1.4 mm

内存宽度

18

地址总线宽度

20 Bit

产品类别

SRAM

密度

18 Mbit

记忆密度

18874368 bit

筛选水平

Industrial

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

缓存SRAM

电压 - 供电 （最大值）

2 V

电压 - 供电 （最小值）

1.7 V

产品类别

SRAM

长度

15 mm

宽度

13 mm