GSI Technology GS816236DB-200M

工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

BGA-119

表面安装

YES

引脚数

119

终端数量

119

Maximum Clock Rate

153@Flow-Through/200@Pipelined MHz

Supplier Package

FBGA

Data Rate Architecture

SDR

Typical Operating Supply Voltage

2.5, 3.3 V

Minimum Operating Supply Voltage

2.3, 3 V

Timing Type

Synchronous

Number of Words

512 kWords

Number of I/O Lines

36 Bit

Maximum Operating Supply Voltage

2.7, 3.6 V

Mounting

表面贴装

Maximum Clock Frequency

200 MHz

Maximum Operating Temperature

+ 125 C

Supply Voltage-Max

3.6 V

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Supply Voltage-Min

2.3 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Interface Type

Parallel

Package Description

BGA,

Package Style

网格排列

Number of Words Code

512000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

6.5 ns

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

GS816236DB-200M

Supply Voltage-Nom (Vsup)

2.5 V

Package Code

BGA

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

GSI技术

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

GSI TECHNOLOGY

Risk Rank

5.13

Usage Level

Military grade

操作温度

-55 to 125 °C

系列

GS816236DB

ECCN 代码

3A991.B.2.B

附加功能

IT ALSO OPERATES AT 3.3 V NOMINAL SUPPLY VOLTAGE

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B119

温度等级

MILITARY

内存大小

18 Mbit

端口的数量

4

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

255 mA, 260 mA

访问时间

6.5 ns

建筑学

Flow-Through/Pipelined

组织结构

512 k x 36

座位高度-最大

1.99 mm

内存宽度

36

地址总线宽度

19 Bit

密度

18 Mbit

记忆密度

18874368 bit

筛选水平

Military

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

缓存SRAM

电压 - 供电 （最大值）

2.7 V

电压 - 供电 （最小值）

2.3 V

宽度

14 mm

长度

22 mm