GSI Technology GS816236DGB-200
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GS816236DGB-200
2984-GS816236DGB-200
存储器
BGA-119
大陆
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Cache SRAM, 512KX36, 6.5ns, CMOS, PBGA119, ROHS COMPLIANT, FPBGA-119
1最小包装量--
GS816236DGB-200详情
GSI Technology GS816236DGB-200重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
10 Weeks
包装/外壳
BGA-119
表面安装
YES
引脚数
119
终端数量
119
Moisture Sensitive
有
Maximum Clock Frequency
200 MHz
Maximum Operating Temperature
+ 70 C
Supply Voltage-Max
3.6 V
Minimum Operating Temperature
0 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
21
Supply Voltage-Min
2.3 V
Memory Types
SDR
RoHS
Details
Tradename
SyncBurst
Brand
GSI技术
Manufacturer
GSI技术
Interface Type
Parallel
Mounting Styles
SMD/SMT
Package Description
BGA,
Package Style
网格排列
Part Package Code
BGA
Risk Rank
5.25
Ihs Manufacturer
GSI TECHNOLOGY
Part Life Cycle Code
活跃
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
BGA
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
Number of Words
524288 words
Manufacturer Part Number
GS816236DGB-200
Rohs Code
有
Operating Temperature-Max
70 °C
Access Time-Max
6.5 ns
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Number of Words Code
512000
系列
GS816236DGB
包装
Tray
ECCN 代码
3A991.B.2.B
类型
Pipeline/Flow Through
附加功能
ALSO OPERATES AT 3.3V
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
Memory & Data Storage
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B119
温度等级
COMMERCIAL
内存大小
18 Mbit
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
210 mA
访问时间
6.5 ns
组织结构
512 k x 36
座位高度-最大
1.99 mm
内存宽度
36
产品类别
SRAM
记忆密度
18874368 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
缓存SRAM
电压 - 供电 (最大值)
2.7 V
电压 - 供电 (最小值)
2.3 V
产品类别
SRAM
长度
22 mm
宽度
14 mm
GS816236DGB-200拓展信息
GSI Technology
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