GSI Technology GS8182S36BGD-167

工厂交货时间

8 Weeks

包装/外壳

BGA-165

表面安装

YES

引脚数

165

终端数量

165

RoHS

Compliant

Moisture Sensitive

有

Maximum Clock Frequency

167 MHz

Maximum Operating Temperature

+ 70 C

Supply Voltage-Max

1.9 V

Minimum Operating Temperature

0 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

18

Supply Voltage-Min

1.7 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Interface Type

Parallel

Manufacturer

GSI技术

Brand

GSI技术

Tradename

SigmaSIO DDR-II

Memory Types

DDR

Package Description

LBGA,

Package Style

GRID ARRAY, LOW PROFILE

Part Package Code

BGA

Risk Rank

5.19

Ihs Manufacturer

GSI TECHNOLOGY

Part Life Cycle Code

活跃

Package Shape

RECTANGULAR

Package Code

LBGA

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

Number of Words

524288 words

Manufacturer Part Number

GS8182S36BGD-167

Rohs Code

有

Operating Temperature-Max

70 °C

Access Time-Max

0.5 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Number of Words Code

512000

Moisture Sensitivity Levels

3

系列

GS8182S36BGD

包装

Tray

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

SigmaSIO DDR-II

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最高工作温度

70 °C

最小工作温度

0 °C

附加功能

流水线结构

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

技术

CMOS

电压 - 供电

1.8 V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B165

资历状况

不合格

温度等级

COMMERCIAL

内存大小

18 Mbit

端口的数量

2

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

380 mA

组织结构

512 k x 36

座位高度-最大

1.4 mm

内存宽度

36

地址总线宽度

18 b

产品类别

SRAM

密度

18 Mb

记忆密度

18874368 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

DDR SRAM

电压 - 供电 （最大值）

1.9 V

电压 - 供电 （最小值）

1.7 V

产品类别

SRAM

宽度

13 mm

长度

15 mm

辐射硬化

无