GSI Technology GS8182T08BGD-250I
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GS8182T08BGD-250I
2984-GS8182T08BGD-250I
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大陆
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DDR SRAM, 2MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165
1最小包装量--
GS8182T08BGD-250I详情
GSI Technology GS8182T08BGD-250I重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
8 Weeks
表面安装
YES
引脚数
165
终端数量
165
RoHS
Compliant
Package Description
LBGA,
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
2000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
0.45 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
GS8182T08BGD-250I
Number of Words
2097152 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
LBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
GSI技术
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
GSI TECHNOLOGY
Risk Rank
5.18
Part Package Code
BGA
JESD-609代码
e1
无铅代码
有
ECCN 代码
3A991.B.2.B
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-40 °C
附加功能
PIPELINED ARCHITECTURE, LATE WRITE
HTS代码
8542.32.00.41
技术
CMOS
电压 - 供电
1.8 V
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B165
资历状况
不合格
温度等级
INDUSTRIAL
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
2MX8
座位高度-最大
1.4 mm
内存宽度
8
地址总线宽度
20 b
密度
18 Mb
记忆密度
16777216 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
DDR SRAM
电压 - 供电 (最大值)
1.9 V
电压 - 供电 (最小值)
1.7 V
宽度
13 mm
长度
15 mm
辐射硬化
无
GS8182T08BGD-250I拓展信息
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