GSI Technology GS8182T18BD-375M
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GS8182T18BD-375M
2984-GS8182T18BD-375M
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DDR SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
1最小包装量--
GS8182T18BD-375M详情
GSI Technology GS8182T18BD-375M重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
8 Weeks
表面安装
YES
引脚数
165
终端数量
165
Maximum Clock Rate
375 MHz
Supplier Package
FBGA
Data Rate Architecture
DDR
Typical Operating Supply Voltage
1.8000 V
Timing Type
Synchronous
Number of Words
1 MWords
Number of I/O Lines
18 Bit
Mounting
表面贴装
RoHS
Compliant
Package Description
LBGA,
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE
Number of Words Code
1000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
0.45 ns
Operating Temperature-Max
125 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
GS8182T18BD-375M
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
LBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
GSI技术
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
GSI TECHNOLOGY
Risk Rank
5.74
Usage Level
Military grade
包装
Bulk
ECCN 代码
3A991.B.2.B
HTS代码
8542.32.00.41
技术
CMOS
电压 - 供电
1.8 V
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B165
温度等级
MILITARY
操作模式
SYNCHRONOUS
建筑学
Pipelined
组织结构
1MX18
座位高度-最大
1.4 mm
内存宽度
18
地址总线宽度
20 Bit
密度
18 Mbit
记忆密度
18874368 bit
筛选水平
Military
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
DDR SRAM
电压 - 供电 (最大值)
1.9 V
电压 - 供电 (最小值)
1.7 V
宽度
13 mm
长度
15 mm
辐射硬化
无
GS8182T18BD-375M拓展信息
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