GSI Technology GS8182T18BGD-300

工厂交货时间

8 Weeks

包装/外壳

BGA-165

表面安装

YES

引脚数

165

终端数量

165

Moisture Sensitive

有

Maximum Clock Frequency

300 MHz

Maximum Operating Temperature

+ 70 C

Supply Voltage-Max

1.9 V

Minimum Operating Temperature

0 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

18

Supply Voltage-Min

1.7 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Interface Type

Parallel

Manufacturer

GSI技术

Brand

GSI技术

Tradename

SigmaDDR-II

RoHS

Details

Memory Types

DDR

Package Description

LBGA,

Package Style

GRID ARRAY, LOW PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

3

Part Package Code

BGA

Risk Rank

4.65

Ihs Manufacturer

GSI TECHNOLOGY

Part Life Cycle Code

活跃

Package Shape

RECTANGULAR

Package Code

LBGA

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

Number of Words

1048576 words

Manufacturer Part Number

GS8182T18BGD-300

Rohs Code

有

Operating Temperature-Max

70 °C

Access Time-Max

0.45 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Number of Words Code

1000000

系列

GS8182T18BGD

包装

Tray

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

SigmaDDR-II B2

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最高工作温度

70 °C

最小工作温度

0 °C

附加功能

PIPELINED ARCHITECTURE, LATE WRITE

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

技术

CMOS

电压 - 供电

1.8 V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B165

资历状况

不合格

温度等级

COMMERCIAL

内存大小

18 Mbit

端口的数量

1

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

405 mA

访问时间

450 ps

组织结构

1 M x 18

座位高度-最大

1.4 mm

内存宽度

18

地址总线宽度

20 b

产品类别

SRAM

密度

18 Mb

记忆密度

18874368 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

DDR SRAM

电压 - 供电 （最大值）

1.9 V

电压 - 供电 （最小值）

1.7 V

产品类别

SRAM

宽度

13 mm

长度

15 mm

辐射硬化

无