GSI Technology GS8182T19BD-333I
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GS8182T19BD-333I
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DDR SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
1最小包装量--
GS8182T19BD-333I详情
GSI Technology GS8182T19BD-333I重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
8 Weeks
表面安装
YES
引脚数
165
终端数量
165
Package Description
LBGA, BGA165,11X15,40
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE
Part Package Code
BGA
Risk Rank
5.2
Ihs Manufacturer
GSI TECHNOLOGY
Part Life Cycle Code
活跃
Manufacturer
GSI技术
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
LBGA
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Number of Words
1048576 words
Clock Frequency-Max (fCLK)
333 MHz
Manufacturer Part Number
GS8182T19BD-333I
Rohs Code
无
Operating Temperature-Max
85 °C
Access Time-Max
0.45 ns
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Equivalence Code
BGA165,11X15,40
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Number of Words Code
1000000
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
3A991.B.2.B
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
流水线结构
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
not_compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B165
资历状况
不合格
电源
1.5/1.8,1.8 V
温度等级
INDUSTRIAL
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.45 mA
组织结构
1MX18
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.4 mm
内存宽度
18
待机电流-最大值
0.17 A
记忆密度
18874368 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR SRAM
待机电压-最小值
1.7 V
电压 - 供电 (最大值)
1.9 V
电压 - 供电 (最小值)
1.7 V
长度
15 mm
宽度
13 mm
GS8182T19BD-333I拓展信息
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