GSI Technology GS8182T19BGD-400I

工厂交货时间

8 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

165-LBGA

表面安装

YES

引脚数

165

供应商器件包装

165-FPBGA (15x13)

终端数量

165

Package

Tray

Base Product Number

GS8182T19

厂商

GSI Technology Inc.

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Package Description

LBGA, BGA165,11X15,40

Package Style

GRID ARRAY, LOW PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

1000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

BGA165,11X15,40

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

0.45 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

GS8182T19BGD-400I

Clock Frequency-Max (fCLK)

400 MHz

Number of Words

1048576 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

Package Code

LBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

GSI技术

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

GSI TECHNOLOGY

Risk Rank

4.78

Part Package Code

BGA

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

系列

-

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

3A991.B.2.B

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

流水线结构

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

SRAM - Synchronous

电压 - 供电

1.7V ~ 1.9V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B165

资历状况

不合格

电源

1.5/1.8,1.8 V

温度等级

INDUSTRIAL

内存大小

18Mbit

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

400 MHz

电源电流-最大值

0.52 mA

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

1MX18

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.4 mm

内存宽度

18

写入周期时间 - 字符、页面

-

待机电流-最大值

0.185 A

记忆密度

18874368 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DDR SRAM

待机电压-最小值

1.7 V

电压 - 供电 （最大值）

1.9 V

电压 - 供电 （最小值）

1.7 V

组织的记忆

1M x 18

宽度

13 mm

长度

15 mm