GSI Technology GS8182T37BGD-300
- 收藏
- 对比
GS8182T37BGD-300
2984-GS8182T37BGD-300
存储器
--
大陆
立即发货

DDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165
1最小包装量--
GS8182T37BGD-300详情
GSI Technology GS8182T37BGD-300重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
表面安装
YES
终端数量
165
Package Description
LBGA, BGA165,11X15,40
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
512000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA165,11X15,40
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
0.45 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
GS8182T37BGD-300
Clock Frequency-Max (fCLK)
300 MHz
Number of Words
524288 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
LBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
GSI技术
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
GSI TECHNOLOGY
Risk Rank
5.2
Part Package Code
BGA
JESD-609代码
e1
无铅代码
有
ECCN 代码
3A991.B.2.B
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
流水线结构
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
165
JESD-30代码
R-PBGA-B165
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.9 V
电源
1.5/1.8,1.8 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.455 mA
组织结构
512KX36
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.4 mm
内存宽度
36
待机电流-最大值
0.155 A
记忆密度
18874368 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR SRAM
待机电压-最小值
1.7 V
宽度
13 mm
长度
15 mm
GS8182T37BGD-300拓展信息
GSI Technology
GSI Technology
GSI Technology
GSI Technology
GSI Technology
GSI Technology
GSI Technology
GSI Technology
GSI Technology
GSI Technology







哦! 它是空的。