GSI Technology GS8256436GB-250I

工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

BGA-119

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

119

供应商器件包装

119-FPBGA (22x14)

终端数量

119

Maximum Clock Rate

250 MHz

Typical Operating Supply Voltage

2.5000 V

Minimum Operating Supply Voltage

2.25 V

Timing Type

Synchronous

Number of Words

8 MWords

Number of I/O Lines

36 Bit

Maximum Operating Supply Voltage

2.75 V

Moisture Sensitive

有

Maximum Clock Frequency

250 MHz

Maximum Operating Temperature

+ 100 C

Supply Voltage-Max

3.6 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

10

Supply Voltage-Min

2.3 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Interface Type

Parallel

Manufacturer

GSI技术

Brand

GSI技术

Tradename

SyncBurst

RoHS

Details

Memory Types

SDR

Package

Tray

Base Product Number

GS8256436

厂商

GSI Technology Inc.

Product Status

活跃

Package Description

BGA,

Package Style

网格排列

Number of Words Code

8000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

GS8256436GB-250I

Supply Voltage-Nom (Vsup)

2.5 V

Package Code

BGA

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

GSI TECHNOLOGY

Risk Rank

5.39

Usage Level

Industrial grade

操作温度

-40 to 100 °C

系列

GS8256436GB

包装

Tray

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

Pipeline/Flow Through

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

技术

SRAM - Synchronous, Standard

电压 - 供电

2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B119

内存大小

288 Mbit

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

250 MHz

电源电流-最大值

520 mA, 610 mA

访问时间

5.5@Flow-Through/2.5

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

8 M x 36

座位高度-最大

1.99 mm

内存宽度

36

写入周期时间 - 字符、页面

-

地址总线宽度

24 Bit

产品类别

SRAM

记忆密度

288

筛选水平

Industrial

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

缓存SRAM

电压 - 供电 （最大值）

2.7 V

电压 - 供电 （最小值）

2.3 V

产品类别

SRAM

组织的记忆

8M x 36

宽度

14 mm

长度

22 mm