GSI Technology GS82583ED18GK-500I

包装/外壳

BGA-260

表面安装

YES

引脚数

260

终端数量

260

RoHS

Details

Maximum Clock Frequency

500 MHz

Interface Type

Parallel

Supply Voltage-Min

1.25 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Maximum Operating Temperature

+ 100 C

Mounting Styles

SMD/SMT

Memory Types

QDR-III

Moisture Sensitive

有

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

10

Tradename

SigmaQuad-IIIe

Maximum Clock Rate

500 MHz

Supplier Package

FBGA

Data Rate Architecture

DDR

Typical Operating Supply Voltage

1.3000 V

Minimum Operating Supply Voltage

1.25 V

Timing Type

Synchronous

Number of Words

16 MWords

Number of I/O Lines

18 Bit

Maximum Operating Supply Voltage

1.35 V

Mounting

表面贴装

Supply Voltage-Max

1.35 V

Package Description

HBGA,

Package Style

GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG

Number of Words Code

16000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

GS82583ED18GK-500I

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.2 V

Package Code

HBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

GSI TECHNOLOGY

Risk Rank

5.74

Usage Level

Industrial grade

包装

Tray

系列

GS82583ED18GK

操作温度

-40 to 100 °C

JESD-609代码

e1

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

SigmaQuad-IIIe B4

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

HTS代码

8542.32.00.41

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B260

内存大小

288 Mbit

端口的数量

1

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

1.2 A

组织结构

16 M x 18

座位高度-最大

2.3 mm

内存宽度

18

地址总线宽度

22 Bit

密度

288 Mbit

记忆密度

301989888 bit

筛选水平

Industrial

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

QDR SRAM

电压 - 供电 （最大值）

1.25 V

电压 - 供电 （最小值）

1.15 V

宽度

14 mm

长度

22 mm