GSI Technology GS832018AGT-333IV

工厂交货时间

8 Weeks

包装/外壳

TQFP-100

表面安装

YES

引脚数

100

终端数量

100

Maximum Clock Rate

200@Flow-Through/333@Pipelined MHz

Supplier Package

TQFP

Data Rate Architecture

SDR

Typical Operating Supply Voltage

1.8, 2.5 V

Minimum Operating Supply Voltage

1.7, 2.3 V

Timing Type

Synchronous

Number of Words

2 MWords

Number of I/O Lines

18 Bit

Maximum Operating Supply Voltage

2, 2.7 V

Mounting

表面贴装

Moisture Sensitive

有

Maximum Clock Frequency

333 MHz

Maximum Operating Temperature

+ 85 C

Supply Voltage-Max

2.7 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

18

Supply Voltage-Min

1.7 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Interface Type

Parallel

Manufacturer

GSI技术

Brand

GSI技术

Tradename

SyncBurst

RoHS

Details

Memory Types

SDR

Package Description

LQFP,

Package Style

FLATPACK, LOW PROFILE

Number of Words Code

2000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

5 ns

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

GS832018AGT-333IV

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

Package Code

LQFP

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

GSI TECHNOLOGY

Risk Rank

5.34

Part Package Code

QFP

Usage Level

Industrial grade

操作温度

-40 to 100 °C

系列

GS832018AGT

包装

Tray

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

同步突发

附加功能

ALSO OPERTAES AT 2.5, SYNCHRONOUS BURST

子类别

Memory & Data Storage

技术

CMOS

端子位置

QUAD

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

0.65 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PQFP-G100

资历状况

不合格

内存大小

36 Mbit

端口的数量

2

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

265 mA, 350 mA

访问时间

5 ns

建筑学

Flow-Through/Pipelined

组织结构

2 M x 18

座位高度-最大

1.6 mm

内存宽度

18

地址总线宽度

21 Bit

产品类别

SRAM

密度

36 Mbit

记忆密度

37748736 bit

筛选水平

Industrial

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

缓存SRAM

电压 - 供电 （最大值）

2 V

电压 - 供电 （最小值）

1.7 V

产品类别

SRAM

宽度

14 mm

长度

20 mm