GSI Technology GS832118AD-250IV

工厂交货时间

8 Weeks

包装/外壳

BGA-165

表面安装

YES

引脚数

165

终端数量

165

Maximum Clock Rate

181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz

Supplier Package

FBGA

Typical Operating Supply Voltage

1.8, 2.5 V

Minimum Operating Supply Voltage

1.7, 2.3 V

Number of I/O Lines

18 Bit

Maximum Operating Supply Voltage

2, 2.7 V

Moisture Sensitive

有

Maximum Clock Frequency

250 MHz

Maximum Operating Temperature

+ 85 C

Supply Voltage-Max

2.7 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

18

Supply Voltage-Min

1.7 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Interface Type

Parallel

Manufacturer

GSI技术

Brand

GSI技术

Tradename

SyncBurst

Memory Types

SDR

Package Description

LBGA,

Package Style

GRID ARRAY, LOW PROFILE

Number of Words Code

2000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

5.5 ns

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

GS832118AD-250IV

Number of Words

2097152 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

Package Code

LBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

GSI TECHNOLOGY

Risk Rank

5.29

Part Package Code

BGA

操作温度

-40 to 100 °C

系列

GS832118AD

包装

Tray

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

同步突发

附加功能

PIPELINE OR FLOW THROUGH ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5 SUPPLY

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B165

资历状况

不合格

内存大小

36 Mbit

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

245 mA, 285 mA

访问时间

5.5@Flow-Through/3@P

组织结构

2 M x 18

座位高度-最大

1.4 mm

内存宽度

18

产品类别

SRAM

记忆密度

36

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

缓存SRAM

电压 - 供电 （最大值）

2 V

电压 - 供电 （最小值）

1.7 V

产品类别

SRAM

宽度

13 mm

长度

15 mm