GSI Technology GS832236AD-200IV

工厂交货时间

8 Weeks

包装/外壳

BGA-165

表面安装

YES

终端数量

165

Maximum Clock Rate

153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz

Supplier Package

FBGA

Typical Operating Supply Voltage

1.8, 2.5 V

Minimum Operating Supply Voltage

1.7, 2.3 V

Timing Type

Synchronous

Number of I/O Lines

36 Bit

Maximum Operating Supply Voltage

2, 2.7 V

RoHS

Compliant

Moisture Sensitive

有

Maximum Clock Frequency

200 MHz

Maximum Operating Temperature

+ 85 C

Supply Voltage-Max

2.7 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

18

Supply Voltage-Min

1.7 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Interface Type

Parallel

Manufacturer

GSI技术

Brand

GSI技术

Tradename

SyncBurst

Memory Types

SDR

Package Description

LBGA, BGA165,11X15,40

Package Style

GRID ARRAY, LOW PROFILE

Number of Words Code

1000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

BGA165,11X15,40

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

6.5 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

GS832236AD-200IV

Clock Frequency-Max (fCLK)

200 MHz

Number of Words

1048576 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

Package Code

LBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

GSI TECHNOLOGY

Risk Rank

5.12

Part Package Code

BGA

Usage Level

Industrial grade

操作温度

-40 to 100 °C

包装

Bulk

系列

GS832236AD

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

Pipeline/Flow Through

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

100 °C

最小工作温度

-40 °C

附加功能

ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY, PIPELINED ARCHITECTURE, FLOW THROUGH

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

165

JESD-30代码

R-PBGA-B165

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

2 V

电源

1.8/2.5 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

1.7 V

内存大小

36 Mbit

端口的数量

4

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

235 mA, 270 mA

访问时间

6.5@Flow-Through/3@P

组织结构

1 M x 36

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.4 mm

内存宽度

36

地址总线宽度

20 b

产品类别

SRAM

密度

36 Mb

待机电流-最大值

0.04 A

记忆密度

36

筛选水平

Industrial

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

缓存SRAM

待机电压-最小值

1.7 V

产品类别

SRAM

宽度

13 mm

长度

15 mm

辐射硬化

无