GSI Technology GS832272GC-250

工厂交货时间

8 Weeks

包装/外壳

BGA-209

表面安装

YES

引脚数

209

终端数量

209

Maximum Clock Rate

153.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz

Supplier Package

FBGA

Data Rate Architecture

SDR

Typical Operating Supply Voltage

2.5, 3.3 V

Minimum Operating Supply Voltage

2.3, 3 V

Timing Type

Synchronous

Number of Words

512 kWords

Number of I/O Lines

72 Bit

Maximum Operating Supply Voltage

2.7, 3.6 V

Mounting

表面贴装

Moisture Sensitive

有

Maximum Clock Frequency

250 MHz

Maximum Operating Temperature

+ 70 C

Supply Voltage-Max

3.6 V

Minimum Operating Temperature

0 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

14

Supply Voltage-Min

2.3 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Interface Type

Parallel

Manufacturer

GSI技术

Brand

GSI技术

Tradename

SyncBurst

RoHS

Details

Memory Types

SDR

Package Description

LBGA, BGA209,11X19,40

Package Style

GRID ARRAY, LOW PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

512000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

BGA209,11X19,40

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

6.5 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

GS832272GC-250

Clock Frequency-Max (fCLK)

250 MHz

Supply Voltage-Nom (Vsup)

2.5 V

Package Code

LBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

GSI TECHNOLOGY

Risk Rank

5.14

Part Package Code

BGA

Usage Level

Commercial grade

操作温度

0 to 70 °C

系列

GS832272GC

包装

Tray

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

SCD/DCD Pipeline/Flow Through

端子表面处理

锡银铜

最高工作温度

70 °C

最小工作温度

0 °C

附加功能

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B209

资历状况

不合格

电源

2.5/3.3 V

温度等级

COMMERCIAL

内存大小

36 Mbit

端口的数量

8

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

275 mA, 380 mA

访问时间

6.5 ns

建筑学

Flow-Through/Pipelined

组织结构

512 k x 72

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.7 mm

内存宽度

72

地址总线宽度

19 Bit

产品类别

SRAM

密度

36 Mbit

待机电流-最大值

0.06 A

记忆密度

37748736 bit

筛选水平

Commercial

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

缓存SRAM

待机电压-最小值

2.38 V

电压 - 供电 （最大值）

2.7 V

电压 - 供电 （最小值）

2.3 V

产品类别

SRAM

宽度

14 mm

长度

22 mm

辐射硬化

无