GSI Technology GS8342Q36AE-250M
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GS8342Q36AE-250M
2984-GS8342Q36AE-250M
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QDR SRAM, 1MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
1最小包装量--
GS8342Q36AE-250M详情
GSI Technology GS8342Q36AE-250M重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
10 Weeks
表面安装
YES
引脚数
165
终端数量
165
RoHS
Compliant
Package Description
LBGA, BGA165,11X15,40
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE
Number of Words Code
1000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA165,11X15,40
Operating Temperature-Min
-55 °C
Access Time-Max
0.45 ns
Operating Temperature-Max
125 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
GS8342Q36AE-250M
Clock Frequency-Max (fCLK)
250 MHz
Number of Words
1048576 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
LBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
GSI技术
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
GSI TECHNOLOGY
Risk Rank
5.8
Part Package Code
BGA
包装
Bulk
ECCN 代码
3A991.B.2.B
最高工作温度
125 °C
最小工作温度
-55 °C
附加功能
流水线结构
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
电压 - 供电
1.8 V
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PBGA-B165
资历状况
不合格
电源
1.5/1.8,1.8 V
温度等级
MILITARY
端口的数量
2
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.85 mA
组织结构
1MX36
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.5 mm
内存宽度
36
地址总线宽度
19 b
密度
36 Mb
待机电流-最大值
0.3 A
记忆密度
36
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
SEPARATE
内存IC类型
QDR SRAM
待机电压-最小值
1.7 V
电压 - 供电 (最大值)
1.9 V
电压 - 供电 (最小值)
1.7 V
宽度
15 mm
长度
17 mm
辐射硬化
无
GS8342Q36AE-250M拓展信息
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