GSI Technology GS8342T18BGD-300I

工厂交货时间

10 Weeks

包装/外壳

BGA-165

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

165

供应商器件包装

165-FPBGA (15x13)

终端数量

165

Maximum Clock Rate

300 MHz

Supplier Package

FBGA

Data Rate Architecture

DDR

Typical Operating Supply Voltage

1.8000 V

Minimum Operating Supply Voltage

1.7 V

Timing Type

Synchronous

Number of Words

2 MWords

Number of I/O Lines

18 Bit

Maximum Operating Supply Voltage

1.9 V

Mounting

表面贴装

Moisture Sensitive

有

Maximum Clock Frequency

300 MHz

Maximum Operating Temperature

+ 85 C

Supply Voltage-Max

1.9 V

Unit Weight

0.162437 oz

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

15

Supply Voltage-Min

1.7 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Interface Type

Parallel

Manufacturer

GSI技术

Brand

GSI技术

Tradename

SigmaCIO DDR-II

RoHS

Details

Memory Types

DDR

Package

Tray

Base Product Number

GS8342T

厂商

GSI Technology Inc.

Product Status

活跃

Package Description

LBGA, BGA165,11X15,40

Package Style

GRID ARRAY, LOW PROFILE

Number of Words Code

2000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

BGA165,11X15,40

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

0.45 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

GS8342T18BGD-300I

Clock Frequency-Max (fCLK)

300 MHz

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

Package Code

LBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

GSI TECHNOLOGY

Risk Rank

4.86

Part Package Code

BGA

Usage Level

Industrial grade

操作温度

-40 to 100 °C

系列

GS8342T18BGD

包装

Tray

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

SigmaDDR-II B2

附加功能

流水线结构

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

技术

SRAM - Quad Port, Synchronous, DDR II

电压 - 供电

1.7V ~ 1.9V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B165

资历状况

不合格

电源

1.5/1.8,1.8 V

温度等级

INDUSTRIAL

内存大小

36 Mbit

端口的数量

1

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

300 MHz

电源电流-最大值

460 mA

访问时间

450 ps

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

建筑学

Pipelined

组织结构

2 M x 18

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.4 mm

内存宽度

18

写入周期时间 - 字符、页面

-

地址总线宽度

21 Bit

产品类别

SRAM

密度

36 Mbit

待机电流-最大值

0.195 A

记忆密度

37748736 bit

筛选水平

Industrial

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DDR SRAM

待机电压-最小值

1.7 V

电压 - 供电 （最大值）

1.9 V

电压 - 供电 （最小值）

1.7 V

产品类别

SRAM

组织的记忆

2M x 18

宽度

13 mm

长度

15 mm