GSI Technology GS8342TT07BGD-300

工厂交货时间

10 Weeks

包装/外壳

BGA-165

表面安装

YES

引脚数

165

终端数量

165

RoHS

Compliant

Moisture Sensitive

有

Maximum Clock Frequency

300 MHz

Maximum Operating Temperature

+ 70 C

Supply Voltage-Max

1.9 V

Minimum Operating Temperature

0 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

15

Supply Voltage-Min

1.7 V

Memory Types

DDR

Tradename

SigmaDDR-II+

Brand

GSI技术

Manufacturer

GSI技术

Interface Type

Parallel

Mounting Styles

SMD/SMT

Package Description

LBGA, BGA165,11X15,40

Package Style

GRID ARRAY, LOW PROFILE

Number of Words Code

4000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

BGA165,11X15,40

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

0.45 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

GS8342TT07BGD-300

Clock Frequency-Max (fCLK)

300 MHz

Number of Words

4194304 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

Package Code

LBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

GSI TECHNOLOGY

Risk Rank

5.36

Part Package Code

BGA

包装

Bulk

系列

GS8342TT07BGD

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

SigmaDDR-II+ B2

最高工作温度

85 °C

最小工作温度

0 °C

附加功能

PIPELINED ARCHITECTURE, LATE WRITE

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

技术

CMOS

电压 - 供电

1.8 V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B165

资历状况

不合格

电源

1.5/1.8,1.8 V

温度等级

COMMERCIAL

内存大小

36 Mbit

端口的数量

1

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

450 mA

组织结构

4 M x 8

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.4 mm

内存宽度

8

地址总线宽度

21 b

产品类别

SRAM

密度

36 Mb

记忆密度

36

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DDR SRAM

待机电压-最小值

1.7 V

电压 - 供电 （最大值）

1.9 V

电压 - 供电 （最小值）

1.7 V

产品类别

SRAM

宽度

13 mm

长度

15 mm

辐射硬化

无