GSI Technology GS8640E18GT-300I

工厂交货时间

8 Weeks

表面安装

YES

包装/外壳

TQFP-100

引脚数

100

终端数量

100

Maximum Clock Rate

181.8@Flow-Through/300@Pipelined MHz

Supplier Package

TQFP

Data Rate Architecture

SDR

Typical Operating Supply Voltage

3.3000 V

Minimum Operating Supply Voltage

3 V

Timing Type

Synchronous

Number of Words

4 MWords

Number of I/O Lines

18 Bit

Maximum Operating Supply Voltage

3.6 V

Mounting

表面贴装

Package Description

LQFP,

Package Style

FLATPACK, LOW PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

4000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

5.5 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

GS8640E18GT-300I

Supply Voltage-Nom (Vsup)

2.5 V

Package Code

LQFP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

GSI技术

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

GSI TECHNOLOGY

Risk Rank

5.56

Part Package Code

QFP

Maximum Clock Frequency

300 MHz

Maximum Operating Temperature

+ 85 C

Supply Voltage-Max

3.6 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Supply Voltage-Min

2.3 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Interface Type

Parallel

Usage Level

Industrial grade

操作温度

-40 to 85 °C

系列

GS8640E18GT

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

3A991.B.2.B

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY

HTS代码

8542.32.00.41

技术

CMOS

端子位置

QUAD

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.65 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PQFP-G100

资历状况

不合格

温度等级

INDUSTRIAL

内存大小

72 Mbit

端口的数量

2

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

290 mA, 390 mA

访问时间

5.5 ns

建筑学

Flow-Through/Pipelined

组织结构

4MX18

座位高度-最大

1.6 mm

内存宽度

18

地址总线宽度

22 Bit

密度

72 Mbit

记忆密度

75497472 bit

筛选水平

Industrial

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

缓存SRAM

电压 - 供电 （最大值）

2.7 V

电压 - 供电 （最小值）

2.3 V

宽度

14 mm

长度

20 mm