GSI Technology GS8640E32GT-250
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GS8640E32GT-250
2984-GS8640E32GT-250
存储器
TQFP-100
大陆
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Cache SRAM, 2MX32, 6.5ns, CMOS, PQFP100, ROHS COMPLIANT, TQFP-100
1最小包装量--
GS8640E32GT-250详情
GSI Technology GS8640E32GT-250重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TQFP-100
引脚数
100
Supplier Package
TQFP
Data Rate Architecture
SDR
Typical Operating Supply Voltage
1.8, 2.5 V
Minimum Operating Supply Voltage
1.7, 2.3 V
Timing Type
Synchronous
Number of Words
2 MWords
Number of I/O Lines
32 Bit
Maximum Operating Supply Voltage
2, 2.7 V
Mounting
表面贴装
RoHS
Compliant
Moisture Sensitive
有
Maximum Clock Frequency
250 MHz
Maximum Operating Temperature
+ 70 C
Supply Voltage-Max
3.6 V
Minimum Operating Temperature
0 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
18
Supply Voltage-Min
2.3 V
Mounting Styles
SMD/SMT
Interface Type
Parallel
Manufacturer
GSI技术
Brand
GSI技术
Tradename
SyncBurst
Memory Types
SDR
Usage Level
Commercial grade
操作温度
0 to 70 °C
系列
GS8640E32GT
包装
Tray
类型
Pipeline/Flow Through
最高工作温度
70 °C
最小工作温度
0 °C
子类别
Memory & Data Storage
内存大小
72 Mbit
端口的数量
4
电源电流-最大值
255 mA, 360 mA
访问时间
6.5 ns
建筑学
Flow-Through/Pipelined
组织结构
2 M x 32
地址总线宽度
21 b
产品类别
SRAM
密度
64 Mbit
筛选水平
Commercial
产品类别
SRAM
辐射硬化
无
GS8640E32GT-250拓展信息
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