GSI Technology GS864236GB-250I

工厂交货时间

8 Weeks

包装/外壳

BGA-119

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

119

供应商器件包装

119-FPBGA (22x14)

终端数量

119

Maximum Clock Rate

153.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz

Supplier Package

FBGA

Data Rate Architecture

SDR

Typical Operating Supply Voltage

2.5, 3.3 V

Minimum Operating Supply Voltage

2.3, 3 V

Timing Type

Synchronous

Number of Words

2 MWords

Number of I/O Lines

36 Bit

Maximum Operating Supply Voltage

2.7, 3.6 V

Mounting

表面贴装

Moisture Sensitive

有

Maximum Clock Frequency

250 MHz

Maximum Operating Temperature

+ 85 C

Supply Voltage-Max

3.6 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

14

Supply Voltage-Min

2.3 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Interface Type

Parallel

Manufacturer

GSI技术

Brand

GSI技术

Tradename

SyncBurst

RoHS

Details

Memory Types

SDR

Package

Tray

Base Product Number

GS864236

厂商

GSI Technology Inc.

Product Status

活跃

Package Description

BGA,

Package Style

网格排列

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

2000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

6.5 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

GS864236GB-250I

Supply Voltage-Nom (Vsup)

2.5 V

Package Code

BGA

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

GSI TECHNOLOGY

Risk Rank

4.59

Part Package Code

BGA

Usage Level

Industrial grade

操作温度

-40 to 85 °C

系列

GS864236GB

包装

Tray

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

SCD/DCD Pipeline/Flow Through

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

技术

SRAM - Synchronous, Standard

电压 - 供电

2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B119

资历状况

不合格

温度等级

INDUSTRIAL

内存大小

72 Mbit

端口的数量

4

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

250 MHz

电源电流-最大值

275 mA, 380 mA

访问时间

6.5 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

建筑学

Flow-Through/Pipelined

组织结构

2 M x 36

座位高度-最大

1.99 mm

内存宽度

36

写入周期时间 - 字符、页面

-

地址总线宽度

21 Bit

产品类别

SRAM

密度

72 Mbit

记忆密度

75497472 bit

筛选水平

Industrial

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

缓存SRAM

电压 - 供电 （最大值）

2.7 V

电压 - 供电 （最小值）

2.3 V

产品类别

SRAM

组织的记忆

2M x 36

宽度

14 mm

长度

22 mm