GSI Technology GS864418E-133
- 收藏
- 对比
GS864418E-133
2984-GS864418E-133
存储器
BGA-165
大陆
立即发货

Cache SRAM, 4MX18, 8.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
1最小包装量--
GS864418E-133详情
GSI Technology GS864418E-133重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
BGA-165
Supplier Package
FBGA
Data Rate Architecture
SDR
Typical Operating Supply Voltage
2.5, 3.3 V
Minimum Operating Supply Voltage
2.3, 3 V
Timing Type
Synchronous
Number of Words
4 MWords
Number of I/O Lines
18 Bit
Maximum Operating Supply Voltage
2.7, 3.6 V
Mounting
表面贴装
Moisture Sensitive
有
Maximum Clock Frequency
133 MHz
Maximum Operating Temperature
+ 70 C
Supply Voltage-Max
3.6 V
Minimum Operating Temperature
0 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
15
Supply Voltage-Min
2.3 V
Mounting Styles
SMD/SMT
Interface Type
Parallel
Manufacturer
GSI技术
Brand
GSI技术
Tradename
SyncBurst
RoHS
N
Memory Types
SDR
Usage Level
Commercial grade
操作温度
0 to 70 °C
系列
GS864418E
包装
Tray
类型
同步突发
子类别
Memory & Data Storage
引脚数量
165
内存大小
72 Mbit
端口的数量
2
电源电流-最大值
210 mA, 250 mA
访问时间
8.5 ns
建筑学
Flow-Through/Pipelined
组织结构
4 M x 18
产品类别
SRAM
密度
72 Mbit
筛选水平
Commercial
产品类别
SRAM
GS864418E-133拓展信息
GSI Technology
GSI Technology
GSI Technology
GSI Technology
GSI Technology
GSI Technology
GSI Technology
GSI Technology
GSI Technology
GSI Technology







哦! 它是空的。