GSI Technology GS8662D18BD-350M
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GS8662D18BD-350M
2984-GS8662D18BD-350M
存储器
BGA-165
大陆
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QDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
1最小包装量--
GS8662D18BD-350M详情
GSI Technology GS8662D18BD-350M重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
8 Weeks
包装/外壳
BGA-165
表面安装
YES
引脚数
165
终端数量
165
Maximum Clock Rate
350 MHz
Supplier Package
FBGA
Typical Operating Supply Voltage
1.8000 V
Timing Type
Synchronous
Number of I/O Lines
18 Bit
RoHS
Compliant
Maximum Clock Frequency
350 MHz
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Supply Voltage-Max
1.9 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Supply Voltage-Min
1.7 V
Mounting Styles
SMD/SMT
Interface Type
Parallel
Package Description
LBGA,
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE
Number of Words Code
4000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
0.45 ns
Operating Temperature-Max
125 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
GS8662D18BD-350M
Number of Words
4194304 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
LBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
GSI技术
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
GSI TECHNOLOGY
Risk Rank
5.77
Usage Level
Military grade
包装
Bulk
ECCN 代码
3A991.B.2.B
技术
CMOS
电压 - 供电
1.8 V
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B165
温度等级
MILITARY
内存大小
72 Mbit
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
845 mA
组织结构
4 M x 18
座位高度-最大
1.4 mm
内存宽度
18
地址总线宽度
22 b
密度
72 Mb
记忆密度
72
筛选水平
Military
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
QDR SRAM
电压 - 供电 (最大值)
1.9 V
电压 - 供电 (最小值)
1.7 V
宽度
13 mm
长度
15 mm
辐射硬化
无
GS8662D18BD-350M拓展信息
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